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空位工程为改善过渡金属纳米材料的表面特性和电子结构提供了一种很有吸引力的方法。然而，在纳米材料中引入缺陷的简单且具有成本效益的方法仍然面临巨大挑战。在此，我们提出了一种简单的室温两步技术，该技术利用Fe作为掺杂剂来增强钴基金属-有机框架（MOFs）中的S空位。Fe–Co MOF转化为限制在CoMo2S4中的中空Fe–Co3S4，形成Fe–Co3S4@CoMo2S4纳米片。作为超级电容器的电极材料，制得材料显示出增强的电荷存储动力学和优异的特性。所获得的纳米结构显示出高的比电容（在1A g−1下为980.3 F g−1）和优异的循环稳定性（在10A g−1下6000次循环后容量保持率为96.5%）。密度泛函理论（DFT）计算表明，在纳米结构中引入缺陷会导致更多的电子出现在费米能级附近，这有利于电化学过程中的电子转移。因此，这项工作为将缺陷引入过渡金属硫化物提供了一种合理的、具有成本效益的策略，并可作为制备储能电极材料的潜在手段。

来源：Njemuwa Nwaji, Hyojin Kang, Mahendra Goddati, Lemma Teshome Tufa, Juyong Gwak, Abhishek Sharan, Nirpendra Singh and Jaebeom Lee，Sulphur vacancy induced Co3S4@CoMo2S4 nanocomposites as a functional electrode for high performance supercapacitors，J. Mater. Chem. A, 2023,11, 3640-3652，https://doi.org/10.1039/D2TA08820G